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Τι (ποιος) είναι MRAM - ορισμός
MRAM
La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.
MRAM
La Memoria de Acceso Aleatorio Magnética (MRAM) es una memoria no volátil de ordenador.
A diferencia de las tecnologías convencionales de chips de memoria RAM los datos no se almacenan mediante la carga eléctrica o flujos de corriente, sino mediante elementos de almacenamiento magnéticos.
La principal ventaja de esta tecnología es que los chips mantienen los datos almacenados después de apagar el sistema, por lo que los ordenadores y otros equipos pueden ser provistos de memoria no volátil lista para ser usada al instante de ser encendidos. Además, MRAM requiere menos refresco de memoria que las DRAMs basadas en capacitores y su velocidad teórica compite con la de la RAM estática, el principal componente de la caché de la CPU.
A diferencia de las tecnologías convencionales de chips de memoria RAM los datos no se almacenan mediante la carga eléctrica o flujos de corriente, sino mediante elementos de almacenamiento magnéticos.
La principal ventaja de esta tecnología es que los chips mantienen los datos almacenados después de apagar el sistema, por lo que los ordenadores y otros equipos pueden ser provistos de memoria no volátil lista para ser usada al instante de ser encendidos. Además, MRAM requiere menos refresco de memoria que las DRAMs basadas en capacitores y su velocidad teórica compite con la de la RAM estática, el principal componente de la caché de la CPU.
